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建立半電波暗室應注意的幾個問題?(二)

日期:2025-04-28 11:49
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摘要: 在SAC中,目前有兩種廣泛應用的寬帶電磁吸收材料,根據(jù)它們的工作機理被區(qū)分為:吸收磁場輻射的鐵氧體和吸收電場輻射的加碳泡沫?;旌闲筒馁|(zhì)由這兩種材料組成。當然,還有一些特別的設計,但沒有被廣泛使用。表2給出一些典型吸波材料的設計以及它們的特性。泡沫型的吸波材料大多制成錐型,而混合型則制成尖劈形狀。鐵氧體貼片一般安裝在不導電的墻上(通常為膠合板),這樣貼片的高頻的性能得以提高。 寬帶EMC吸波材料的設計是一個復雜的過程,需要在低頻和高頻性能、尺寸和工程造價上權(quán)衡與協(xié)調(diào)。通常,制造者在設計吸波材料時常...
      在SAC中,目前有兩種廣泛應用的寬帶電磁吸收材料,根據(jù)它們的工作機理被區(qū)分為:吸收磁場輻射的鐵氧體和吸收電場輻射的加碳泡沫?;旌闲筒馁|(zhì)由這兩種材料組成。當然,還有一些特別的設計,但沒有被廣泛使用。表2給出一些典型吸波材料的設計以及它們的特性。泡沫型的吸波材料大多制成錐型,而混合型則制成尖劈形狀。鐵氧體貼片一般安裝在不導電的墻上(通常為膠合板),這樣貼片的高頻的性能得以提高。   寬帶EMC吸波材料的設計是一個復雜的過程,需要在低頻和高頻性能、尺寸和工程造價上權(quán)衡與協(xié)調(diào)。通常,制造者在設計吸波材料時常用嘗試法,通過設計,嘗試反復的過程進行工作。為了加速設計過程,并使其經(jīng)濟,許多制造者采用計算機輔助設計。用計算機輔助設計,吸收材料的制造和測量姑且不用管,只需先進設計,用計算機進行優(yōu)化設計。如果**的模型得以使用,大量的吸波材料的參數(shù)得以確定,無論是用大量的反復嘗試的設計方法,還是采用計算機進行輔助設計,都可以生產(chǎn)出上等的吸波材料。   大多廠商說明吸波材料的性能時,只考慮垂直入射的情況。這是一個優(yōu)化的數(shù)據(jù),只與吸波材料對直接垂直入射的性能都很好。但在SAC中效慮斜射的情況比垂直更為重要。隨著入射到屏蔽室表面的波的衰減有關系。大多數(shù)吸波材料對于垂直入射的性能都很好。但在SAC中考慮斜射的情況比垂直更為重要。隨著入射角度的增加,吸波材料性能明顯降低。所以,在設計電波暗室時這是一個重要的因素。   在SAC中,吸波材料的性能不僅僅由吸波材料的基本設計性能來決定。吸波材料的安裝質(zhì)量也起著很大的作用。特別是鐵氧體,無論是否采用混合型的設計與否,都會由于安裝不當而導致性能的降低。由于單個鐵氧全貼片的尺寸的限制,在兩塊挨近的貼片間存在著小氣縫。這些小氣縫如同磁阻一樣,減小了貼片之間磁能量的連續(xù)性,因此降低了吸收效果。在細心安裝的情況下,單個氣縫會小于幾十分之一毫米寬。大的氣縫會導致入射小的衰減有相當大的降低,因此允許屏蔽室的墻上的某些特殊部位有較大的反射。在吸波材料和電波暗室的設計中,必須考慮所謂的氣縫效應,因為在實際安裝中氣縫常常遇到。即使一個小氣縫都會降低鐵氧體貼片的性能,使實際水平低于理論水平。   吸波材料的測量是確認它們性能的重要一環(huán)。由于SAC的低頻性能要求嚴格,吸波材料要確認下限到30MHz的性能。從150MHz到30MHz或更低可以用同軸波導測量。在高頻段,可以使用其他類型波導(100MHz及以上)和自由空間的方式(高于800MHz)進行測試。



4、電波暗室設計技術(shù)   為了建造符合場地衰減要求的SAC,測量到的歸一化場地衰減數(shù)值與理想開闊場(依據(jù)標準ANSIC63.4-1992)的理想值的差值應小于4dB。這項指標面臨著許多挑戰(zhàn),特別在低頻段,吸波材料的電場尺寸很小,而且電磁性能很差。所以,在電波暗室建造之前,需要用數(shù)字仿真,以確認和優(yōu)化電波暗室的設計。制造者可以選擇嘗試方法來設計,但這會消耗許多時間和成本。數(shù)字仿真,通過與已建造的暗室的性能測量數(shù)據(jù)的修正相結(jié)合,是今天的電波暗室的設計者的一種有效的設計工具。   在工作頻率范圍的中段和高段,入射到吸波材料的電磁波可以被認為是平面波。在這種情況下,利用射線跟蹤的方法來模擬電波暗室的性能,會得到一個可信的有關電波暗室性能的推算。而對于低頻情況,平面波的假設不再有效。   對于低頻范圍,有關電波暗室的性能模型有兩種方法:一種是對高頻情況下的射線跟蹤技術(shù)的模擬,另一種是對裝有吸波材料的屏蔽室進行三維情況下的麥克斯韋方程的解算。在射線跟蹤的情況下,由于吸波材料的低頻性能以及電波暗室的尺寸,必須考慮多重反射。由于低頻段的吸波材料的測試數(shù)據(jù)在任意角度入射要比垂直情況難以測量,所以數(shù)字仿真數(shù)據(jù)常被使用。要注意的是這種模擬的吸波材料性能數(shù)據(jù)與垂直入射的測量數(shù)據(jù)緊密相關,以避免在電波暗室仿真中的系統(tǒng)誤差。在多級射線跟蹤模型中,測量的10m電波暗室的性能模擬要比3m電波暗室的好,這是由于在10m電波暗室中電空間足夠大,采用的吸波材料體積大,低段性能好。   由于求解三維麥克斯韋方程是一項深入細致的計算任務,所以通常使用有限元法或有限差分法。這些方法是將需要運算的空間分成離散的單元,以便使用麥克斯韋方程進行運算,對于低頻段的情況,吸波材料近似為低頻薄層,可以減輕計算的難度。然而,這種算法的**性很大程度依靠吸波材料模型的使用,吸波材料性能的測試和大量的數(shù)據(jù)。在理論上,這種方法比射線跟蹤法**、可靠。然而,與多級射線技術(shù)相比,吸波材料的安裝和電波暗室測量的限制導致實現(xiàn)過程中的不確定性,同時也使實際設計的精度有所限制。



5、試驗室的建造   在以上的幾個部分,我們對幾個主要問題進行了介紹,包括SAC的設計、屏蔽效能、吸波材料和電波暗室模型。這一部分集中討論這些方面的整體實施。   多級反射射線跟蹤方法具在方便計算的優(yōu)勢。應用這種技術(shù),設計者可以從眾多的設計草案中選取優(yōu)化設計。一個有經(jīng)驗的設計工程師可以通過分析整理數(shù)據(jù)來保證電波暗室的性能,而不用考慮模型化技術(shù)的固有限制。

   在建造EMC測試試驗室時,需要相當大的空間來容納電波暗室和相關的設備。典型的設計尺寸如表3。除了表3給出的數(shù)據(jù),我們還要考慮防火設施、高架地板、加固屏蔽室的使其能夠負荷吸波材料的質(zhì)量、保證其完整性的鋼結(jié)構(gòu)。

表3 半波暗室參數(shù)





        在SAC以及相關設備建造結(jié)束后,要驗證其性能,以證實用SAC替代理想的OATS是可行的。在民有EMC設施中,SAC性能測試依照標準ANSIC63.4-1992、CISPR22或相關標準所描述的替代場方法。這些測試程序是通過比較電波暗室與OATS的場地衰減來證實電波暗室的性能的。場地衰減是按照標準中對于替代場所描述的理論,測量位于轉(zhuǎn)臺上一個靜止的圍繞EUT的區(qū)域。這個測試程序的頻率范圍是根據(jù)輻射發(fā)射對EUT測試的要求確定的。在*初的驗證確定后,SAC 的操作應建立在每年的驗證基礎上。   SAC的性能依靠許多因素,其一是吸波材料的安裝。鐵氧體貼片的氣縫效應要格外注意,特別是在門和其他穿孔的地方,那里的吸波材料是不連續(xù)的。門、接口板和窗的安排也要小心。注意不要在吸波材料不連續(xù)的地方引起性能問題,不要出現(xiàn)未經(jīng)處理的反射物質(zhì)引起的寄生的反射和發(fā)射。另外,地板要非常平,轉(zhuǎn)臺周圍要保證電連續(xù)性。驗證電波暗室時,天線系數(shù)起著嚴格的作用。另外,時間久了,吸波材料、尤其是尖劈泡沫會傾斜,在性能上影響較小,但有些負面的效應。   一個重要的問題是選擇吸波材料或暗室的制造者時一定要有質(zhì)量控制。由于吸波材料性能是 SAC的電磁性能中*重要的因素,要注意制造商能否保證工廠里生產(chǎn)的每一批吸波材料的性能都是一致的。*好要有一個質(zhì)量控制程序,以保證每一批吸波材料的電磁性能都在低頻范圍內(nèi)進行嚴格的檢測。而且,電波暗室的性能與吸波材料的安裝質(zhì)量相關,所以,在安裝中安排有經(jīng)驗的人員控制質(zhì)量是必須遵循的。   一般來說,EMC測試設備不僅僅是SAC。按預算和實驗的需要,可以增加屏蔽的控制室和實驗室,同樣可增加測量抗擾度的全電波暗室和預測試電波暗室。*低限度,要有足夠的空間來容納測試設備和測試人員。


  6、總結(jié)   本文談到建造SAC中的概況,但它不能完全涉及到建造SAC的所有問題。一些重要的問題,如防火**和結(jié)構(gòu)完整性都需要進一步研究??傊?,建造SAC不是一項簡單的任務,有大量的因素影響SAC的電磁性能能和功能。特別對于全適應電波暗室,對于3m或10m的測試距離,質(zhì)量控制、設計能力和已有工作業(yè)績都在選擇電波暗室生產(chǎn)家方面起著重要的作用。而且,成功的操作EMC設備與測試附屬設備(轉(zhuǎn)臺、天線桿、天線、電纜)和測量儀器的使用有關,同時,試驗人員的經(jīng)驗也很重要。

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